Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2371EDS-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2979078

SI2371EDS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.56
10+
$0.397
100+
$0.261
500+
$0.154
1000+
$0.118
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2371EDS-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2371EDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2371EDS-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 4.8A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2371EDS-T1-GE3" seotud tooted.
SI2400-KS

SI2400-KS

Kirjeldus: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Kirjeldus: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2400-FS

SI2400-FS

Kirjeldus: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2400URT-EVB

SI2400URT-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI2400 ISOMODEM

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.