SI2347DS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

$0.56

10+

$0.397

100+

$0.261

500+

$0.154

1000+

$0.118

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI2347DS-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI2347DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

SOT-23-3
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 3.8A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.7W (Tc)
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muud nimed

SI2347DS-T1-GE3CT
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

32 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

705pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 30V 5A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Järgnev on "SI2347DS-T1-GE3" seotud tooted.

SI2338DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2356DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2341DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2341DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2337DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2337DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2365EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2343DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2343CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2371EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2351DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2351DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2369DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2372DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2367DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2342DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

RFQ

SI2343DS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2343DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2366DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

SI2374DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

SI2347DS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

SI2338DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-E3

SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-E3

SI2365EDS-T1-GE3

SI2343DS-T1-E3

SI2343CDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2343DS-T1

SI2343DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Vali keel

Praegune keel