Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI3417DV-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3028327SI3417DV-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3417DV-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.161
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3417DV-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3417DV-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25.2 mOhm @ 7.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    SI3417DV-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3417DV-T1-GE3" seotud tooted.
SI3407-TP

SI3407-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3415-TP

SI3415-TP

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3407DV-T1-E3

SI3407DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424DV-T1-E3

SI3424DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3415A-TP

SI3415A-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3410DV-T1-E3

SI3410DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3430DV-T1-E3

SI3430DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424DV-T1-GE3

SI3424DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424BDV-T1-GE3

SI3424BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI34062-A-GMR

SI34062-A-GMR

Kirjeldus: HIGH-EFFICIENCY SWITCHING REGULA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3420A-TP

SI3420A-TP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3424BDV-T1-E3

SI3424BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3406FBC2-KIT

SI3406FBC2-KIT

Kirjeldus: EVAL KIT FOR SI3406 NONISO FLYBA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3420-TP

SI3420-TP

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3406FBC3-KIT

SI3406FBC3-KIT

Kirjeldus: EVAL KIT FOR SI3406 NONISO FLYBA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.