Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI3430DV-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3321935SI3430DV-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3430DV-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.47
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3430DV-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3430DV-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.14W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    SI3430DV-T1-E3TR
    SI3430DVT1E3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3430DV-T1-E3" seotud tooted.
SI3420-TP

SI3420-TP

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424BDV-T1-GE3

SI3424BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424BDV-T1-E3

SI3424BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3433BDV-T1-E3

SI3433BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424DV-T1-GE3

SI3424DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3420A-TP

SI3420A-TP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3433CDV-T1-E3

SI3433CDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3424DV-T1-E3

SI3424DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3434-TP

SI3434-TP

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3433BDV-T1-GE3

SI3433BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.