Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI3590DV-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1296008SI3590DV-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3590DV-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3590DV-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3590DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    77 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    830mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    SI3590DV-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.5A, 1.7A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3590DV-T1-GE3" seotud tooted.
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3851DV-T1-E3

SI3851DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Kirjeldus: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Kirjeldus: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.