Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI3812DV-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6292182SI3812DV-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3812DV-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3812DV-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3812DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    600mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    830mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Isolated)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3812DV-T1-GE3" seotud tooted.
SI3851DV-T1-E3

SI3851DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Kirjeldus: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3865BDV-T1-E3

SI3865BDV-T1-E3

Kirjeldus: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3853DV-T1-GE3

SI3853DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Kirjeldus: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3861BDV-T1-E3

SI3861BDV-T1-E3

Kirjeldus: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3861BDV-T1-GE3

SI3861BDV-T1-GE3

Kirjeldus: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.