Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4110DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6433135

SI4110DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4110DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4110DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 11.7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4110DY-T1-GE3TR
    SI4110DYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2205pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 17.3A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    17.3A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4110DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4112-BT

SI4112-BT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4113-BT

SI4113-BT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.