Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Kell / ajastus - kellageneraatorid, PLL-d, sagedus > SI4112-BT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
519758

SI4112-BT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4112-BT
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tüüp
    Frequency Synthesizer
  • Pakkuja seadme pakett
    24-TSSOP
  • Seeria
    -
  • Suhe - sisend: väljund
    1:1
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • PLL
    Yes
  • Väljund
    Clock
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Ahelate arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sisend
    Crystal
  • Sagedus - maks
    1GHz
  • Divider / kordaja
    Yes/No
  • Diferentsiaal - sisend: väljund
    No/No
  • Baasosa number
    SI4112
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4113-BT

SI4113-BT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4112-BM

SI4112-BM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4113-D-GMR

SI4113-D-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi