Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4168DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3093671

SI4168DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.547
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4168DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4168DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4168DY-T1-GE3-ND
    SI4168DY-T1-GE3TR
    SI4168DYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4168DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.