Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4190ADY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6051314

SI4190ADY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.20
10+
$1.988
100+
$1.598
500+
$1.242
1000+
$1.029
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4190ADY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4190ADY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4190ADY-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1970pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    18.4A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4190ADY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4200

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.