Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4408DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1882184

SI4408DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.68
10+
$2.425
100+
$1.949
500+
$1.515
1000+
$1.256
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4408DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4408DY-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 21A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.6W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4408DY-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4408DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4404DY-T1-E3

SI4404DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4404DY-T1-GE3

SI4404DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.