Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4410BDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3216240

SI4410BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4410BDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4410BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.4W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4410BDY-T1-GE3-ND
    SI4410BDY-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 7.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4410BDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4404DY-T1-E3

SI4404DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4404DY-T1-GE3

SI4404DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.