Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4425DDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3485165

SI4425DDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.384
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4425DDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4425DDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.8 mOhm @ 13A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4425DDY-T1-GE3-ND
    SI4425DDY-T1-GE3TR
    SI4425DDYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2610pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    19.7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4425DDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4421-A1-FT

SI4421-A1-FT

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4426DY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4421-A0-FT

SI4421-A0-FT

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4421-A1-FTR

SI4421-A1-FTR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4421-A0-FTR

SI4421-A0-FTR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.