Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4427BDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2247814

SI4427BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.916
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4427BDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4427BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4427BDY-T1-GE3-ND
    SI4427BDY-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4427BDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4426DY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.