Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4455DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6637056

SI4455DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.97
10+
$1.744
100+
$1.379
500+
$1.069
1000+
$0.844
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4455DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4455DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295 mOhm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5.9W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4455DY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1190pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 150V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4455DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4460-B0B-FM

SI4460-B0B-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4460-B1B-FMR

SI4460-B1B-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4460-B1B-FM

SI4460-B1B-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4460-C2A-GMR

SI4460-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4461-868-DK

SI4461-868-DK

Kirjeldus: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4460-C2A-GM

SI4460-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.