Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4451DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5028457

SI4451DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$1.428
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4451DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4451DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 850µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4451DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.