Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4477DY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2206309

SI4477DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$0.676

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4477DY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4477DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

3W (Ta), 6.6W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4477DY-T1-GE3-ND
SI4477DY-T1-GE3TR
SI4477DYT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

4600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

26.6A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4477DY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.