Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4487DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
938209

SI4487DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4487DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4487DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4487DY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1075pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 11.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11.6A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4487DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.