Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4636DY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6611157

SI4636DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4636DY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4636DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±16V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 10A, 10V
Voolukatkestus (max)

2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4636DY-T1-GE3TR
SI4636DYT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2635pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 17A (Tc) 2.5W (Ta), 4.4W (Tc) Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4636DY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4634-A10-GM

SI4634-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4633-A10-GMR

SI4633-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4635-A10-GM

SI4635-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4634DY-T1-E3

SI4634DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4634-A10-GMR

SI4634-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4634DY-T1-GE3

SI4634DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4632DY-T1-GE3

SI4632DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4635-A10-GMR

SI4635-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4633-A10-GM

SI4633-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.