Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4642DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
105271

SI4642DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4642DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4642DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.75 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4642DY-T1-E3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5540pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 34A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4642DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4634DY-T1-E3

SI4634DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4634-A10-GM

SI4634-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4634DY-T1-GE3

SI4634DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4635-A10-GMR

SI4635-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4633-A10-GMR

SI4633-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4634-A10-GMR

SI4634-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4635-A10-GM

SI4635-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.