Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4804CDY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4512640

SI4804CDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$0.317

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4804CDY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4804CDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7.5A, 10V
Võimsus - maks

3.1W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4804CDY-T1-GE3-ND
SI4804CDY-T1-GE3TR
SI4804CDYT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

865pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon

Standard
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

8A
Baasosa number

SI4804

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4804CDY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4778DY-T1-E3

SI4778DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4800,518

SI4800,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale

Laos

SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4777-A20-GMR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM CE HD-RADIO TUNER

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

Kirjeldus: EVAL BOARD SI4791

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.