Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4812BDY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4175650

SI4812BDY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.58
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4812BDY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4812BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.4W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4812BDY-T1-E3TR
    SI4812BDYT1E3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4812BDY-T1-E3" seotud tooted.
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4800,518

SI4800,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

Kirjeldus: EVAL BOARD SI4791

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.