Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4830CDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3583011

SI4830CDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.565
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4830CDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4830CDY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Võimsus - maks
    2.9W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4830CDY-T1-GE3TR
    SI4830CDYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Baasosa number
    SI4830

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4830CDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4826-DEMO

SI4826-DEMO

Kirjeldus: BOARD DEMO SI4822-A10 SI4826-A10

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4827-A10-CSR

SI4827-A10-CSR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4827-A10-CS

SI4827-A10-CS

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Kirjeldus: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4830-A20-GU

SI4830-A20-GU

Kirjeldus: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4827-DEMO

SI4827-DEMO

Kirjeldus: BOARD EVAL SI4827

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.