Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4833BDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6779992

SI4833BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.306
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4833BDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4833BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    68 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.75W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4833BDY-T1-GE3-ND
    SI4833BDY-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Isolated)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 4.6A (Tc) 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4833BDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Kirjeldus: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835-B30-GUR

SI4835-B30-GUR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4835-DEMO

SI4835-DEMO

Kirjeldus: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835-B30-GU

SI4835-B30-GU

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835BDY-T1-E3

SI4835BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.