Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4920DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3873329

SI4920DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4920DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4920DY-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Võimsus - maks
    2W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4920DY-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -
  • Baasosa number
    SI4920

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4920DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.