Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4925BDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
309778

SI4925BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.854
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4925BDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4925BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 P-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Baasosa number
    SI4925

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4925BDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.