Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI5513DC-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5982636

SI5513DC-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5513DC-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI5513DC-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI5513DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

1206-8 ChipFET™
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Võimsus - maks

1.1W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SMD, Flat Lead
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
FET tüüp

N and P-Channel
FET funktsioon

Logic Level Gate
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2.1A
Baasosa number

SI5513

Seotud uudised
Laevandus
Makse

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI5513DC-T1-GE3" seotud tooted.

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5511DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5517DU-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5515DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI570-PROG-EVB

Kirjeldus: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5513DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5504DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5509DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5853DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.