Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI5519DU-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4392386SI5519DU-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5519DU-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI5519DU-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI5519DU-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    10.4W
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Muud nimed
    SI5519DU-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    660pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Baasosa number
    SI5519

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI5519DU-T1-GE3" seotud tooted.
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

Kirjeldus: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.