Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7160DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
46816SI7160DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7160DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7160DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7160DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.7 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7160DP-T1-GE3TR
    SI7160DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2970pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 20A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7160DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7159DP-T1-GE3

SI7159DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7156DP-T1-GE3

SI7156DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7160DP-T1-E3

SI7160DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7170DP-T1-GE3

SI7170DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7149DP-T1-GE3

SI7149DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7172DP-T1-GE3

SI7172DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7186DP-T1-E3

SI7186DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7156DP-T1-E3

SI7156DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.