Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7190DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
399449SI7190DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7190DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.42
10+
$2.189
100+
$1.759
500+
$1.368
1000+
$1.134
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7190DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7190DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    118 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5.4W (Ta), 96W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7190DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2214pF @ 125V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    18.4A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7190DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7196DP-T1-E3

SI7196DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7201-B-02-FVR

SI7201-B-02-FVR

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7201-B-01-FVR

SI7201-B-01-FVR

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7201-B-02-FV

SI7201-B-02-FV

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7160DP-T1-GE3

SI7160DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7201-B-00-FV

SI7201-B-00-FV

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7201-B-01-FV

SI7201-B-01-FV

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7172DP-T1-GE3

SI7172DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7170DP-T1-GE3

SI7170DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7186DP-T1-E3

SI7186DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7201-B-00-FVR

SI7201-B-00-FVR

Kirjeldus: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.