Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7634BDP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2254741SI7634BDP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7634BDP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$1.161
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7634BDP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7634BDP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7634BDP-T1-GE3TR
    SI7634BDPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3150pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7634BDP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7661CJ+

SI7661CJ+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7661CSA+

SI7661CSA+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.