Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7655DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3732292

SI7655DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7655DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.823

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7655DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7655DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

4.8W (Ta), 57W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-PowerVDFN
Muud nimed

SI7655DN-T1-GE3TR
SI7655DNT1GE3
Töötemperatuur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

6600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

2.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 20V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7655DN-T1-GE3" seotud tooted.

SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7661CSA+

SI7661CSA+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

SI7661DJ

SI7661DJ

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7636DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7664DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7661CJ+

SI7661CJ+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7661ESA+

SI7661ESA+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.