Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI7946DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4185579SI7946DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7946DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7946DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7946DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.4W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muud nimed
    SI7946DP-T1-GE3TR
    SI7946DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.1A
  • Baasosa number
    SI7946

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7946DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.