Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI7956DP-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6378366SI7956DP-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7956DP-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$1.918
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7956DP-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7956DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.4W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muud nimed
    SI7956DP-T1-E3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Baasosa number
    SI7956

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7956DP-T1-E3" seotud tooted.
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.