Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8402DB-T1-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6784389SI8402DB-T1-E1 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8402DB-T1-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8402DB-T1-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8402DB-T1-E1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    4-Microfoot
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.47W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Muud nimed
    SI8402DB-T1-E1CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8402DB-T1-E1" seotud tooted.
SI8405AB-A-IS1

SI8405AB-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8400AB-B-ISR

SI8400AB-B-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8401AB-B-ISR

SI8401AB-B-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8401AA-B-IS

SI8401AA-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1

SI8405AA-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8401DB-T1-E3

SI8401DB-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8401AB-B-IS

SI8401AB-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8401DB-T1-E1

SI8401DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8400AB-B-IS

SI8400AB-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8402AB-B-ISR

SI8402AB-B-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405DB-T1-E1

SI8405DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1

SI8405AB-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1R

SI8405AB-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8404DB-T1-E1

SI8404DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8401AA-B-ISR

SI8401AA-B-ISR

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-A-IS1R

SI8405AB-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1R

SI8405AA-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1R

SI8405AA-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1

SI8405AA-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8402AB-B-IS

SI8402AB-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.