Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8405DB-T1-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2304469SI8405DB-T1-E1 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8405DB-T1-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8405DB-T1-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8405DB-T1-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    4-Microfoot
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.47W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Muud nimed
    SI8405DB-T1-E1CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8405DB-T1-E1" seotud tooted.
SI840XI2C-KIT

SI840XI2C-KIT

Kirjeldus: KIT EVAL FOR SI840X

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1

SI8405AB-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410-B-IS

SI8410-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1R

SI8405AB-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405DB-T1-E3

SI8405DB-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410-C-IS

SI8410-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AB-D-ISR

SI8410AB-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8406DB-T2-E1

SI8406DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1R

SI8405AA-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1

SI8405AA-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-A-IS1R

SI8405AB-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AB-D-IS

SI8410AB-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1R

SI8405AA-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8404DB-T1-E1

SI8404DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AB-A-IS1

SI8405AB-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410-A-IS

SI8410-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8407DB-T2-E1

SI8407DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1

SI8405AA-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.