Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8406DB-T2-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7015894SI8406DB-T2-E1 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8406DB-T2-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.25
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8406DB-T2-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8406DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UFBGA
  • Muud nimed
    SI8406DB-T2-E1TR
    SI8406DBT2E1
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    830pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8406DB-T2-E1" seotud tooted.
SI8410-C-IS

SI8410-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405DB-T1-E1

SI8405DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AB-A-IS1

SI8405AB-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1

SI8405AA-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8407DB-T2-E1

SI8407DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1

SI8405AB-B-IS1

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410-A-IS

SI8410-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI840XI2C-KIT

SI840XI2C-KIT

Kirjeldus: KIT EVAL FOR SI840X

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1R

SI8405AA-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405DB-T1-E3

SI8405DB-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410AB-D-IS

SI8410AB-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410AD-A-ISR

SI8410AD-A-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AB-D-ISR

SI8410AB-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-B-IS1R

SI8405AB-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-B-IS1R

SI8405AA-B-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410-B-IS

SI8410-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AB-A-IS1R

SI8405AB-A-IS1R

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8405AA-A-IS1

SI8405AA-A-IS1

Kirjeldus: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AD-A-IS

SI8410AD-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.