Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > PMIC - väravadraiverid > SI9910DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5417095

SI9910DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI9910DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SI9910DY-T1-E3.pdf
    2.SI9910DY-T1-E3.pdf
  • Pinge - varustus
    10.8 V ~ 16.5 V
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    50ns, 35ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI9910DY-T1-E3TR
    SI9910DYT1E3
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Juhtide arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Logic Voltage - VIL, VIH
    -
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Non-Inverting
  • Kõrgsurvepinge - Max (Bootstrap)
    500V
  • Väravüüp
    N-Channel MOSFET
  • Juhitud konfiguratsioon
    High-Side
  • Täpsem kirjeldus
    High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • Praegune - Peak väljund (allikas, valamu)
    1A, 1A
  • Kanali tüüp
    Single
  • Baasosa number
    SI9910

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI9910DY-T1-E3" seotud tooted.
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Kirjeldus: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

Kirjeldus: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9706DY-E3

SI9706DY-E3

Kirjeldus: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9435DY

SI9435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9712DY-T1-E3

SI9712DY-T1-E3

Kirjeldus: IC SWITCH PCMCIA 12V 16SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9730BBY-T1-E3

SI9730BBY-T1-E3

Kirjeldus: IC CONTROLLR LI-ION 4.25V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Kirjeldus: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9730ABY-E3

SI9730ABY-E3

Kirjeldus: IC CONTROLLR LI-ION 4.2V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9730ABY-T1-E3

SI9730ABY-T1-E3

Kirjeldus: IC CONTROLLR LI-ION 4.2V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Kirjeldus: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.