Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI9926CDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6613326

SI9926CDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.05
10+
$0.926
100+
$0.732
500+
$0.568
1000+
$0.448
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI9926CDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI9926CDY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    3.1W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI9926CDY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Baasosa number
    SI9926

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI9926CDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Kirjeldus: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Kirjeldus: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Kirjeldus: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Kirjeldus: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Kirjeldus: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.