Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIA106DJ-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4967815SIA106DJ-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIA106DJ-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.06
10+
$0.924
100+
$0.713
500+
$0.528
1000+
$0.422
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIA106DJ-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIA106DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.5 mOhm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-70-6
  • Muud nimed
    SIA106DJ-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    540pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 12A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIA106DJ-T1-GE3" seotud tooted.
SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.