Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIB410DK-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
959116SIB410DK-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB410DK-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.196
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIB410DK-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIB410DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Muud nimed
    SIB410DK-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIB410DK-T1-GE3" seotud tooted.
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB-127-02-F-S-LC

SIB-127-02-F-S-LC

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB-128-02-F-S

SIB-128-02-F-S

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.