Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIB414DK-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1682917SIB414DK-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB414DK-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIB414DK-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIB414DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±5V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 7.9A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Muud nimed
    SIB414DK-T1-GE3TR
    SIB414DKT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    732pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.03nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    8V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIB414DK-T1-GE3" seotud tooted.
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Kirjeldus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.