Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHB33N60E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5326616SIHB33N60E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB33N60E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.15
10+
$6.383
100+
$5.234
500+
$4.238
1000+
$3.574
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHB33N60E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHB33N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    278W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    SIHB33N60EGE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3508pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHB33N60E-GE3" seotud tooted.
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.