Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHD2N80E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1595948SIHD2N80E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHD2N80E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.66
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHD2N80E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHD2N80E-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-PAK (TO-252AA)
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.75 Ohm @ 1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    62.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    SIHD2N80E-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    315pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHD2N80E-GE3" seotud tooted.
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.