Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHP30N60E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6903483SIHP30N60E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP30N60E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.92
10+
$6.181
100+
$5.069
500+
$4.104
1000+
$3.462
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHP30N60E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHP30N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    250W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    SIHP30N60E-GE3CT
    SIHP30N60E-GE3CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2600pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHP30N60E-GE3" seotud tooted.
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.