Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHP4N80E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5398532SIHP4N80E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP4N80E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.39
10+
$2.157
100+
$1.734
500+
$1.348
1000+
$1.117
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHP4N80E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHP4N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27 Ohm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    69W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    622pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHP4N80E-GE3" seotud tooted.
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.