Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHU6N80E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5474281SIHU6N80E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHU6N80E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.69
10+
$2.428
100+
$1.951
500+
$1.517
1000+
$1.257
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHU6N80E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 800V TO-251
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHU6N80E-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    IPAK (TO-251)
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    78W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    827pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHU6N80E-GE3" seotud tooted.
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW47N65E-GE3

SIHW47N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.