Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHW61N65EF-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1161572SIHW61N65EF-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHW61N65EF-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$15.43
10+
$14.03
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHW61N65EF-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHW61N65EF-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AD
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    47 mOhm @ 30.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    520W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7407pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    371nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    64A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHW61N65EF-GE3" seotud tooted.
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW47N65E-GE3

SIHW47N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW73N60E-GE3

SIHW73N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.