Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR106DP-T1-RE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
118997SIR106DP-T1-RE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR106DP-T1-RE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.893
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR106DP-T1-RE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR106DP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR106DP-T1-RE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3610pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16.1A (Ta), 65.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR106DP-T1-RE3" seotud tooted.
SIR-34ST3F

SIR-34ST3F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 100MA T-1

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SIR-505STA47F

SIR-505STA47F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR-568ST3F

SIR-568ST3F

Kirjeldus: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SIR-56ST3FF

SIR-56ST3FF

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Kirjeldus: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR-563ST3FN

SIR-563ST3FN

Kirjeldus: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Kirjeldus: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Kirjeldus: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIR-341ST3FF

SIR-341ST3FF

Kirjeldus: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.