Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR166DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7006375SIR166DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR166DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.696
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR166DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR166DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR166DP-T1-GE3TR
    SIR166DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3340pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR166DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR19-21C/TR8

SIR19-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA 0603

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.